не огромен. но открылись 10 из 100 и через них пошел весь ток. результат немного предсказуем? "250N это HEXFET 5 поколения. Для линейных нарузок подходит плохо. Нам нужен HEXFET 3 поколения. Конктретно по 250N — все уже давно посчитано и было на EEV Blog. Безопасно можно снять около 40Ватт в линейном режиме при входящем 0-100V. В противном случае будет быстрая деградация кристалла и в один хороший момент оно все сгорит и возможно с собой и нагрузку унесет. Т.е. это даже не 60 ваттная нагрузка, а 40 ваттная. Что я и предположил в прошлом обзоре. Можно поставить IRFP260 (без N). Это HEXFET 3 поколения. Тогда снимите порядка 60 ватт"
Комментарии: 8
Fedor
вот, т.е. речь все же не про активный режим
Woddy
что такое "активный режим"?
Fedor
"режим усиления" но на границах, могут быть неоткрытия, это понятно
Woddy
а у транзистора бывает не режим усиления? :)
Fedor
ну да
Woddy
ого
Fedor
режим насыщения например добро пожаловать в наш кружок)
Woddy
"1. Реальная мощность нагрузки порядка 25 ватт. Т.к. применен IRFP150N. В линейном режиме с него нельзя снимать более 25ватт — есть графики Safe Area для DC на EVV Blog. Любое превышение этой мощности деградирует кристалл и в один прекрасный момент оно все у вас сгорит 2. Можно повысить мощность до 30w, заменив мосфет на IRFP150. Без индекса N. Это HEXFET третьего поколения, он лучше подходит для линейных нагрузок 3. Снять реальных 55-60 ватт можно заменив мосфет на IRFP260. Тоже без N. Но он достаточно дорогой. По графику DC safe area с него уже можно снять 55 ватт. Но для 55 ватт нужно заменить радиатор. Хорошо подходит от процессоров Intel. Скоро выложу, покажу как я сделал У меня нет графика Safe Area DC для PSMN020-150W, но судя по даташиту, это точно меньше 100вт. В принципе, это не проблема, т.к. есть мосфеты, которые специально предназначены для линейного режима. Минус — они дороги. Для тех, кто будет дорабатывать свои нагрузки, пару полезных вещей еще напишу 1. Чем старее мосфет в линейке, тем лучше он подходит для линейных нагрузок. Новые мосфеты оптимизируют для импульсного режима, но для работы в линейном режиме ситуация строго наоборот. Т.е. мосфет третьего поколения, например IRFP260, гораздо лучше для наших целей, чем мосфет 5 поколения IRFP260N. Кстати, можете заметить, стоит IRFP260 без N ровно в 2 раза дороже 2. Мощности, указанные в даташите, приведены для импульсных режимов (подробнее есть в самом даташите). Для линейных ограничения гораздо сильнее. Чуть ли не на порядок. Ищите в даташите график Safe Area. Кстати, для многих современных там режима DC нет вообще. Угадайте почему :) 3. Наиболее выгоден по сочетанию цена/мощность IRFP150 (без N). Его ставят во многие серьезные нагрузки. Снимают с него там максимум 27.5 ватт. Принцип простой — берется недорогой ОУ на 4 канала и на каждый транзистор свой шунт и один канал ОУ 4. Важно в линейном режиме обеспечить очень хорошее охлаждение. Берите радиатор и кулер с хорошим запасом. При перегреве возможен лавинообразный пробой 5. Кому интересно подробнее, почему и как — вот хороший материал leoniv.livejournal.com/228001.html www.power-e.ru/2008_1_16.php " но для твой задачи это не имеет значения, как понимаю там будут доли ватт т.е. подойдет любой транзистор. не понятно как он будет плавать от температуры среды..